旺宏IBM 持续开发记忆体

【新唐人2013年01月29日讯】(中央社记者张建中新竹29日电)记忆体制造厂旺宏电子今天宣布,与美国国际商业机器公司(IBM)继续合作,共同开发高密度的相变化非挥发性记忆体技术。

旺宏于民国94年与IBM及英飞凌共组研究合作联盟,共同开发相变化非挥发记忆体技术,期能突破现有浮动闸极式非挥发性记忆体技术蓝图的极限。

2010年合作期满后,旺宏与IBM签约,继续合作开发高密度相变化非挥发性记忆体技术;双方合作又于今年1月21日到期,旺宏再次与IBM签约,持续合作开发高密度相变化非挥发性记忆体技术。

旺宏表示,透过与IBM合作开发,将可共同分担研发费用,减轻开发成本负担,并强化长期技术竞争力。

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