【新唐人2013年01月29日訊】(中央社記者張建中新竹29日電)記憶體製造廠旺宏電子今天宣布,與美國國際商業機器公司(IBM)繼續合作,共同開發高密度的相變化非揮發性記憶體技術。
旺宏於民國94年與IBM及英飛凌共組研究合作聯盟,共同開發相變化非揮發記憶體技術,期能突破現有浮動閘極式非揮發性記憶體技術藍圖的極限。
2010年合作期滿後,旺宏與IBM簽約,繼續合作開發高密度相變化非揮發性記憶體技術;雙方合作又於今年1月21日到期,旺宏再次與IBM簽約,持續合作開發高密度相變化非揮發性記憶體技術。
旺宏表示,透過與IBM合作開發,將可共同分擔研發費用,減輕開發成本負擔,並強化長期技術競爭力。
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