瑞萨新晶片 最低LTE耗电

【新唐人2013年02月23日讯】(中央社记者吴佳颖台北23日电)行动通讯半导体方案平台供应商瑞萨通信技术本部宣布，旗下第3代的GSM/HSPA+/LTE FDD/ LTE TDD多模数据晶片支援完整的LTE Cat-4流量，有最低LTE耗电表现和更高速度。

瑞萨通信技术本部 (Renesas Mobile Corporation)发布资料指出，晶片支援完整的长程演进技术(LTE) Category 4流量，可达150Mbits下载和50Mbits上传，有业界最低的LTE耗电表现，具备更高速度和更长的电池寿命。

瑞萨通信指出，新晶片在20MHz频宽运用Cat-4的耗电效率表现优于主要竞争产品达45%，每Mbit仅需2mA，除了提高了电池寿命，在下载大型档案时，像是影片、音乐、和浏览复杂的网页等，也可让使用者保持连线，维持较长的时间无须充电。

另外，新的第3代多模数据晶片有极小的尺寸，比前一代的小了45%，超低耗电和高度的整合，让OEM厂商能加速产品布局，降低研发心力和风险。

瑞萨通信技术本部的资深副总腾胡能(Heikki Tenhunen)表示，这款次世代的超薄数据晶片平台，将能让代工制造(OEM)厂商设计出能利用高速流量，执行互动游戏时低迟滞、快速浏览网页和串流影片、以及高资料量的企业软体的行动装置。