【新唐人2013年02月05日讯】(中央社记者钟荣峰台北5日电)记忆体封测厂力成董事长蔡笃恭表示，今年第1季封装产能利用率84%，预估第2季快闪记忆体稼动率可超过9成。
力成今天下午举办法人说明会，董事长蔡笃恭表示，力成去年第4季封装产能利用率在90%到95%左右，测试产能利用率在6成以下；预估今年第1季封装产能利用率84%，其中DRAM稼动率50%到60%左右，快闪记忆体稼动率84%到85%，测试稼动率在6成以下，预估第2季快闪记忆体稼动率可超过9成。
观察标准型动态随机存取记忆体(Commodity DRAM)发展动向，蔡笃恭表示，供应商过去一年持续减产，去年年底价格开始向上，今年1月持续。蔡笃恭认为，标准型DRAM价格持稳情况会继续下去，DRAM厂不会继续扩增标准型产品，至少第1季会延续持稳。
在快闪记忆体部分，蔡笃恭指出，NAND型快闪记忆体(NAND Flash)厂商控制产量，去年第4季到现在，价格持续稳定，预估第1季价稳情况会持续；蔡笃恭预估第2季厂商会增加生产，同时控制生产量，不会供过于求，这代表在智慧型手机、平板电脑和超轻薄笔电等终端应用带动下，NAND快闪记忆体需求可向上。
在产能规划上，蔡笃恭指出，标准型DRAM封测产能，从2011年的每月2亿颗调整到去年第4季的每月1.5亿颗，预估今年第1季可调节到每月1.2亿颗，第2季将调节至每月不到1亿颗，降低对标准型DRAM的依赖度，产能调节到与市场需求差不多。
蔡笃恭表示，第2季DRAM产能将转到其他地方，标准型DRAM产能可符合市场订单需求，测试机台在第2季折旧费用会下降，超过5成测试机台会折旧完，第3季测试机台成本竞争力结构会提升。
在行动记忆体部分，蔡笃恭表示，去年第4季行动记忆体封测出货量大，今年第1季客户调节库存，对行动记忆体封测业绩会有伤害，不过到3月后情况会改善，第2季行动记忆体封测表现会比第1季好，需求会出来。
在行动记忆体测试上，蔡笃恭表示，固态硬碟(SSD)需要可靠度测试，目前NAND型快闪记忆体测试机台满载， DRAM测试机台也可转移到NAND Flash测试。
