联电意法合作开发影像感测技术

【新唐人2012年9月6日讯】(中央社记者张建中新竹6日电)晶圆代工厂联电今天宣布，将与意法半导体合作开发65奈米影像感测器背面照度(BSI)技术。

联电表示，过去新加坡厂即曾为意法半导体生产前面照度式(FSI)制程，因应高解析度与高画质需求，双方进一步合作开发65奈米影像感测器背面照度(BSI)技术。

联电指出，65奈米BSI制程可广泛应用于智慧手机、平板电脑、高阶监视器、消费型数位相机及数位单眼相机等产品领域。

联电表示，目前有8吋及12吋影像感测器制造解决方案，将可满足多元化市场需求。