【新唐人2011年7月13日讯】（中央社首尔13日法新电）韩国海力士半导体公司（Hynix Semiconductor）与日本电子巨擘东芝公司（Toshiba）今天表示，双方已商定，合力开发下一代记忆体装置。
海力士及东芝发表声明表示，两家业者合力开发智慧型手机等装置所使用的自旋传输磁性记忆体（STT-MRAM）技术，有助于将风险降至最低。
据声明，东芝将磁性记忆体(MRAM)视为下一代重要的记忆体技术，可支撑东芝半导体事业未来的成长。
据声明，一旦成功开发这项技术，东芝与海力士将成立生产制造的合资企业。
东芝与海力士也表示，他们已延长专利交互授权及产品供应协议，这项协议于2007年达成。（译者：中央社林亭仪）
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