海力士研發出40奈米級記憶體晶片

【新唐人2009年2月8日訊】（中央社首爾8日法新電）南韓的海力士半導體公司（Hynix Semiconductor）今天宣布，已使用最細微技術研發出全球密度最高記憶體晶片。海力士這種嶄新的「DDR3 DRAM」（DDR3動態隨機存取記憶體）晶片採用的技術，能讓內部線路相距僅40奈米，細微度是目前產品的1/5 。

一奈米等於10億分之一公尺。製程越細微，製造記憶體晶片的技術越先進，此晶片廣泛應用於電腦和其他電子裝置。

海力士表示，這項新產品的生產效率較現有晶片提升50%，因為比現有製程耗費更少能源和成本。海力士說，將從今年第三季開始量產。

海力士發言人說：「海力士成為成功應用40奈米級技術至DDR3 DRAM晶片的全球首家廠商。研發出此新晶片，將有助於海力士在快速變遷的記憶體晶片市場繼續維持領先地位。」

全球經濟下滑嚴重打擊記憶體晶片產業，由於全球需求劇跌，日本東芝公司（Toshiba）被迫減產，台灣多家主要廠商也尋求政府紓困。