【新唐人2011年7月13日訊】（中央社首爾13日法新電）韓國海力士半導體公司（Hynix Semiconductor）與日本電子巨擘東芝公司（Toshiba）今天表示，雙方已商定，合力開發下一代記憶體裝置。

海力士及東芝發表聲明表示，兩家業者合力開發智慧型手機等裝置所使用的自旋傳輸磁性記憶體（STT-MRAM）技術，有助於將風險降至最低。

據聲明，東芝將磁性記憶體(MRAM)視為下一代重要的記憶體技術，可支撐東芝半導體事業未來的成長。

據聲明，一旦成功開發這項技術，東芝與海力士將成立生產製造的合資企業。

東芝與海力士也表示，他們已延長專利交互授權及產品供應協議，這項協議於2007年達成。（譯者：中央社林亭儀）