【新唐人北京時間2024年09月07日訊】韓國首爾警方9月6日消息，因涉嫌對中企洩露芯片核心技術，三星電子前高管和首席研究員被批捕。

韓聯社6日引述首爾警察廳產業技術安全偵查隊的消息報導，曾擔任三星電子和海力士半導體（現SK海力士）高管的崔某（66歲）和前三星電子首席研究員吳某（60歲），涉嫌違反《產業技術法》和《防止不正當競爭及商業祕密保護法》，洩露三星電子自主開發的700多個20納米技術工藝流程圖，用於成都高真科技公司的產品研發。

據悉，成都高真科技是崔某2021年獲投資後設立，吳某出任該公司高管。

警方曾於今年1月申請提捕吳某，但被駁回。之後，警方補充偵查並再次提請批捕，並一同提捕崔某，最終獲批。

據《朝鮮日報》報導，崔某曾擔任三星電子常務、海力士副社長。2023年6月，他曾因涉嫌竊取三星電子芯片工廠設計圖，並意圖在中國開設生產20納米級DRAM芯片的「三星電子複製工廠」被拘留，並於11月被保釋出獄。

報導稱，兩名嫌疑人涉嫌將包含20納米級芯片生產所需的溫度、壓力等600多道工藝核心信息的資料洩露給中國成都高真科技。

警方表示，目前正在對崔某等10多人進行立案調查。通過與他們有關聯的非法獵頭企業，警方掌握了前往中國的200多名半導體工程師的名單。他們也被內部調查是否與技術洩露有關。

警方稱，這是有史以來最大規模的產業人才流失。

（責任編輯：林清）