【新唐人2013年01月29日訊】(中央社記者張建中新竹29日電)記憶體製造廠旺宏電子今天宣布，與美國國際商業機器公司(IBM)繼續合作，共同開發高密度的相變化非揮發性記憶體技術。

旺宏於民國94年與IBM及英飛凌共組研究合作聯盟，共同開發相變化非揮發記憶體技術，期能突破現有浮動閘極式非揮發性記憶體技術藍圖的極限。

2010年合作期滿後，旺宏與IBM簽約，繼續合作開發高密度相變化非揮發性記憶體技術；雙方合作又於今年1月21日到期，旺宏再次與IBM簽約，持續合作開發高密度相變化非揮發性記憶體技術。

旺宏表示，透過與IBM合作開發，將可共同分擔研發費用，減輕開發成本負擔，並強化長期技術競爭力。